دیتاشیت IPG20N10S4-36A
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
IPG20N10S4-36A
|
حجم فایل |
64.704
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
2 N-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPG20N10S4-36A
-
Power Dissipation (Pd):
43W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@16uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
36mΩ@10V,17A
-
Package:
TDSON-8-4
-
Manufacturer:
Infineon Technologies